HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SUD50N06-07L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, W/D, 60 В, 96 А, TO252 — Даташит

Vishay SUD50N06-07L-GE3

Наименование модели: SUD50N06-07L-GE3

8 предложений от 5 поставщиков
MOSFET N-CH 60V 96A DPAK
Akcel
Весь мир
SUD50N06-07L-GE3
Vishay
от 129 ₽
AiPCBA
Весь мир
SUD50N06-07L-GE3
Vishay
308 ₽
ChipWorker
Весь мир
SUD50N06-07L-GE3
Vishay
314 ₽
МосЧип
Россия
SUD50N06-07L-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, W/D, 60 В, 96 А, TO252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SUD50N06-07L
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 96 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0061 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 136 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SUD50N0607LGE3, SUD50N06 07L GE3

На английском языке: Datasheet SUD50N06-07L-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W/D, 60 V, 96 A, TO252

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России