Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SI1539CDL-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP CH, 30 В, Вт диод, SOT363 — Даташит

Vishay SI1539CDL-T1-GE3

Наименование модели: SI1539CDL-T1-GE3

25 предложений от 10 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 700 мА, 0.323 Ом, SOT-363, Surface Mount
Akcel
Весь мир
SI1539CDL-T1-GE3
Vishay
от 15 ₽
ЭИК
Россия
SI1539CDL-T1-GE3
Vishay
от 20 ₽
ЧипСити
Россия
SI1539CDL-T1-GE3
Vishay
167 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI1539CDL-T1-GE3
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 30 В, Вт диод, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1539CDL
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 30 RDS(on) () 0.388 at VGS = 10 V 0.525 at VGS = 4.5 V 0.890 at VGS = - 10 V 1.7 at VGS = - 4.5 V ID (A)a 0.7 0.6 - 0.5 - 0.3 Qg (Typ.) 0.55

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 700 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.323 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 340 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6

RoHS: есть

Варианты написания:

SI1539CDLT1GE3, SI1539CDL T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI1539CDL-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NP CH, 30 V, W DIODE, SOT363

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России