Datasheet SI1539CDL-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP CH, 30 В, Вт диод, SOT363 — Даташит
Наименование модели: SI1539CDL-T1-GE3
Купить SI1539CDL-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 990 ₽ 25 предложений от 10 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 700 мА, 0.323 Ом, SOT-363, Surface Mount | |||
SI1539CDL-T1-GE3 Vishay | от 15 ₽ | ||
SI1539CDL-T1-GE3 Vishay | от 20 ₽ | ||
SI1539CDL-T1-GE3 Vishay | 167 ₽ | ||
SI1539CDL-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, NP CH, 30 В, Вт диод, SOT363
Краткое содержание документа:
Si1539CDL
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel 30 RDS(on) () 0.388 at VGS = 10 V 0.525 at VGS = 4.5 V 0.890 at VGS = - 10 V 1.7 at VGS = - 4.5 V ID (A)a 0.7 0.6 - 0.5 - 0.3 Qg (Typ.) 0.55
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 700 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.323 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 340 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
RoHS: есть
Варианты написания:
SI1539CDLT1GE3, SI1539CDL T1 GE3