Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SI1922EDH-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 1.3 А, SOT363

Vishay SI1922EDH-T1-GE3

Наименование модели: SI1922EDH-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 20 В, 1.3 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1922EDH
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.198 at VGS = 4.5 V 0.225 at VGS = 2.5 V 0.263 at VGS = 1.8 V ID (A)a 1.3a 1.3a 1.3a 0.9 nC Qg (Typ.)

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.165 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SI1922EDH-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, 20 V, 1.3 A, SOT363

    MOSFET N-CH 20V DUAL SOT-363
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанVishay7,30 руб.
    Океан ЭлектроникиVishayпо запросу
    ДКО ЭлектронщикVishayпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс