Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI4288DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, W/D, 40 В, 9.2 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4288DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4288DY-T1-GE3

20 предложений от 9 поставщиков
Compliant Surface Mount 1.75 mm 506.605978 mg 8 ns Lead Free Digi-Reel® No SVHC
SI4288DY-T1-GE3
Vishay
26 ₽
Akcel
Весь мир
SI4288DY-T1-GE3
Vishay
от 49 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4288DY-T1-GE3
Vishay
94 ₽
ЭИК
Россия
SI4288DY-T1-GE3
Vishay
от 190 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, W/D, 40 В, 9.2 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4288DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.020 at VGS = 10 V 0.023 at VGS = 4.5 V ID (A)a 9.2 8.6 Qg (Typ.) 4.9

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0165 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4288DYT1GE3, SI4288DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4288DY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, W/D, 40 V, 9.2 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России