Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SI4501BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP CH, W/D, 30V/8V, SO8

Vishay SI4501BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4501BDY-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NP CH, W/D, 30V/8V, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4501BDY
Vishay Siliconix
Complementary (N- and P-Channel) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 30 -8 RDS(on) () 0.017 at VGS = 10 V 0.020 at VGS = 4.5 V 0.027 at VGS = - 4.5 V 0.037 at VGS = - 2.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 12 11 -8 - 6.8 7.9 16.5

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0135 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 4.5 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SI4501BDY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NP CH, W/D, 30V/8V, SO8

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанVishay24,90 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс