Datasheet SI4501BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP CH, W/D, 30V/8V, SO8 — Даташит

Vishay SI4501BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4501BDY-T1-GE3

Купить SI4501BDY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 2 188 ₽ 11 предложений от 8 поставщиков Mosfet Array 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
AiPCBA Весь мир	SI4501BDY-T1-GE3 Vishay	16 ₽
Akcel Весь мир	SI4501BDY-T1-GE3 Vishay	от 16 ₽
Acme Chip Весь мир	SI4501BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу
Flash-Turtle Весь мир	SI4501BDY-T1-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NP CH, W/D, 30V/8V, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4501BDY
Vishay Siliconix
Complementary (N- and P-Channel) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 30 -8 RDS(on) () 0.017 at VGS = 10 V 0.020 at VGS = 4.5 V 0.027 at VGS = - 4.5 V 0.037 at VGS = - 2.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 12 11 -8 - 6.8 7.9 16.5

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: N and P Channel
Continuous Drain Current Id: 12 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 0.0135 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Рассеиваемая мощность: 4.5 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4501BDYT1GE3, SI4501BDY T1 GE3