Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SI4564DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NP CH, W/DIODE, 40 В, SO8

Vishay SI4564DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4564DY-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NP CH, W/DIODE, 40 В, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4564DY
Vishay Siliconix
N- and P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) N-Channel P-Channel 40 - 40 RDS(on) () 0.0175 at VGS = 10 V 0.020 at VGS = 4.5 V 0.021 at VGS = - 10 V 0.028 at VGS = - 4.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 10 9.2 - 9.2 - 7.4 9.8 21.7

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0145 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SI4564DY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NP CH, W/DIODE, 40 V, SO8

    MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC
    Цены на SI4564DY-T1-GE3
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанVishay41,40 руб.
    ТаймЧипсVishayпо запросу
    ДКО ЭлектронщикVishayпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс