Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet SI4618DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, SCH диод, 30 В, SO8 — Даташит

Vishay SI4618DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4618DY-T1-GE3

9 предложений от 6 поставщиков
МОП-транзистор 30V 8/15.2A DUAL NCH МОП-транзистор w/Shottky
AiPCBA
Весь мир
SI4618DY-T1-GE3
Vishay
88 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4618DY-T1-GE3
Vishay
88 ₽
Akcel
Весь мир
SI4618DY-T1-GE3
Vishay
от 589 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI4618DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, SCH диод, 30 В, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4618DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) Channel-1 Channel-2 30 30 RDS(on) () 0.017 at VGS = 10 V 0.0195 at VGS = 4.5 V 0.010 at VGS = 10 V 0.0115 at VGS = 4.5 V ID (A)a Qg (Typ.) 8.0 12.5 7.5 15.2 17 14.1

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.014 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.98 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4618DYT1GE3, SI4618DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4618DY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, SCH DIODE, 30 V, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России