Datasheet SI4909DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, W/D DIOD, 40 В, 8 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: SI4909DY-T1-GE3
Купить SI4909DY-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 101 ₽ 21 предложений от 10 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6,4А; Idm: -30А; 2,1Вт; SO8 | |||
SI4909DY-T1-GE3 Vishay | 19 ₽ | ||
Si4909DY-T1-GE3 Vishay | 24 ₽ | ||
SI4909DY-T1-GE3 Vishay | от 35 ₽ | ||
SI4909DY-T1-GE3 Vishay | 70 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, PP CH, W/D DIOD, 40 В, 8 А, SO8
Краткое содержание документа:
New Product
Si4909DY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
FEATURES
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -8 А
- Drain Source Voltage Vds: -40 В
- On Resistance Rds(on): 0.021 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 3.2 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4909DYT1GE3, SI4909DY T1 GE3