Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SI4909DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, W/D DIOD, 40 В, 8 А, SO8

Vishay SI4909DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4909DY-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, PP CH, W/D DIOD, 40 В, 8 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si4909DY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
FEATURES

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -8 А
  • Drain Source Voltage Vds: -40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.021 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Рассеиваемая мощность: 3.2 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SI4909DY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, PP CH, W/D DIOD, 40 V, 8 A, SO8

    ПоставщикПроизводительЦена
    ДКО ЭлектронщикVishayпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс