Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI4909DY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, W/D DIOD, 40 В, 8 А, SO8 — Даташит

Vishay SI4909DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4909DY-T1-GE3

21 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -6,4А; Idm: -30А; 2,1Вт; SO8
SI4909DY-T1-GE3
Vishay
19 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
Si4909DY-T1-GE3
Vishay
24 ₽
Akcel
Весь мир
SI4909DY-T1-GE3
Vishay
от 35 ₽
ЧипСити
Россия
SI4909DY-T1-GE3
Vishay
70 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, PP CH, W/D DIOD, 40 В, 8 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si4909DY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
FEATURES

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -8 А
  • Drain Source Voltage Vds: -40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.021 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Рассеиваемая мощность: 3.2 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4909DYT1GE3, SI4909DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4909DY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, PP CH, W/D DIOD, 40 V, 8 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России