Datasheet SI5997DU-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, PP CH, 30 В, 6 А, PPK CHIPFET — Даташит

Наименование модели: SI5997DU-T1-GE3

Купить SI5997DU-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 39 до 117 ₽ 8 предложений от 5 поставщиков SI5997DU-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor; 4.1A; 30V; 8-Pin PowerPAK ChipFET
AiPCBA Весь мир	SI5997DU-T1-GE3 Vishay	39 ₽
ChipWorker Весь мир	SI5997DU-T1-GE3 Vishay	42 ₽
Flash-Turtle Весь мир	SI5997DU-T1-GE3 Vishay	по запросу
Acme Chip Весь мир	SI5997DU-T1-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, PP CH, 30 В, 6 А, PPK CHIPFET

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si5997DU
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 30 RDS(on) () 0.054 at VGS = - 10 V 0.088 at VGS = - 4.5 V ID (A) - 6a - 6a Qg (Typ.) 4.8 nC

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: P Channel
Continuous Drain Current Id: -6 А
Drain Source Voltage Vds: -30 В
On Resistance Rds(on): 0.045 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Рассеиваемая мощность: 10.4 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: PowerPAK
Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SI5997DUT1GE3, SI5997DU T1 GE3