Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SQ9945BEY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, W/D, 60 В, 6 А, SO8 — Даташит

Vishay SQ9945BEY-T1-GE3

Наименование модели: SQ9945BEY-T1-GE3

22 предложений от 10 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 6 А, 0.045 Ом, SOIC, Surface Mount
ЧипСити
Россия
SQ9945BEY-T1_GE3
Vishay
31 ₽
AiPCBA
Весь мир
SQ9945BEY-T1_GE3
Vishay
32 ₽
ЭИК
Россия
SQ9945BEY-T1_GE3
Vishay
от 86 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
SQ9945BEY-T1_GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, W/D, 60 В, 6 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQ9945BEY
Vishay Siliconix
Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) per leg Configuration 60 0.064 0.082 6 Dual

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.045 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Рассеиваемая мощность: 4 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SQ9945BEYT1GE3, SQ9945BEY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SQ9945BEY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, W/D, 60 V, 6 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России