Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SQ9945BEY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, NN CH, W/D, 60 В, 6 А, SO8

Vishay SQ9945BEY-T1-GE3

Наименование модели: SQ9945BEY-T1-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, NN CH, W/D, 60 В, 6 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQ9945BEY
Vishay Siliconix
Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) per leg Configuration 60 0.064 0.082 6 Dual

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.045 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Рассеиваемая мощность: 4 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SQ9945BEY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, NN CH, W/D, 60 V, 6 A, SO8

    МОП-транзистор 60V 5.4A 4W N-Ch Automotive
    Цены на SQ9945BEY-T1-GE3
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанVishaySQ9945BEY-T1_GE342,90 руб.
    Океан ЭлектроникиSQ9945BEY-T1-GE3по запросу
    ДКО ЭлектронщикVishaySQ9945BEY-T1-GE3по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс