Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet DMN3110S - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 3.3 А, SOT23 — Даташит

Diodes DMN3110S

Наименование модели: DMN3110S

23 предложений от 9 поставщиков
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Utmel
Весь мир
DMN3110S
Diodes
от 3.31 ₽
AiPCBA
Весь мир
DMN3110S-7
Diodes
9.85 ₽
Akcel
Весь мир
DMN3110S-7
Diodes
от 12 ₽
Acme Chip
Весь мир
DMN3110LCP3-7
Diodes
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 3.3 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMN3110S
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS RDS(ON) max 73m @ VGS = 10V ID max TA = 25°C 3.3A 2.7A
Features and Benefits

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.054 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 740 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet DMN3110S - Diodes MOSFET, N CH, 30 V, 3.3 A, SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России