ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet DMN3115UDM - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 30 В, 3.2 А, SOT26 — Даташит

Diodes DMN3115UDM

Наименование модели: DMN3115UDM

16 предложений от 10 поставщиков
Trans Mosfet N-ch 30V 3.2A 6-PIN SOT-26 T/r
AiPCBA
Весь мир
DMN3115UDM
Vishay
9.62 ₽
ChipWorker
Весь мир
DMN3115UDM
Vishay
9.83 ₽
Akcel
Весь мир
DMN3115UDM-7
Diodes
от 28 ₽
Acme Chip
Весь мир
DMN3115UDM
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 30 В, 3.2 А, SOT26

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMN3115UDM
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Features
· Low On-Resistance · 60 m @ VGS = 4.5V · 80 m @ VGS = 2.5V · 130 m @ VGS = 1.5V Very Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance ESD Protected Gate Fast Switching Speed Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.04 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 900 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-26
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet DMN3115UDM - Diodes MOSFET, N CH, W ESD, 30 V, 3.2 A, SOT26

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России