Datasheet DMS3016SSSA - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 9.8 А, SO8 — Даташит

Diodes DMS3016SSSA

Наименование модели: DMS3016SSSA

Купить DMS3016SSSA на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 83 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SOP-8
T-electron Россия и страны СНГ	DMS3016SSSA-13 Diodes	17 ₽
Akcel Весь мир	DMS3016SSSA Diodes	от 23 ₽
Utmel Весь мир	DMS3016SSSA Diodes	от 24 ₽
Acme Chip Весь мир	DMS3016SSSA-13 Diodes	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 9.8 А, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMS3016SSSA
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE
Features
· DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver: · Low RDS(ON) - minimizes conduction losses · Ultra Low VSD enhanced to reduce losses due to body diode conduction · Low Qrr - lower Qrr of the integrated Schottky reduces body diode switching losses · Low gate capacitance (Qg/Qgs) ratio reduces risk of shootthrough or cross conduction currents at high frequencies · Avalanche rugged IAR and EAR rated Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Mechanical Data

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 9.8 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 0.009 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Рассеиваемая мощность: 1.54 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть