Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet ZXMP10A18GTA - Diodes Даташит Полевой транзистор, P CH, 100 В, 2.6 А, SOT223

Diodes ZXMP10A18GTA

Наименование модели: ZXMP10A18GTA

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, P CH, 100 В, 2.6 А, SOT223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMP10A18G
100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS = - 100V : RDS(on) = 0.150 DESCRIPTION
This new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
; ID = - 3.7A

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -2.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: -100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.15 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Рассеиваемая мощность: 2 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet ZXMP10A18GTA - Diodes MOSFET, P CH, 100 V, 2.6 A, SOT223

    MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
    Цены на ZXMP10A18GTA
    ПоставщикПроизводительЦена
    КонтестZetexпо запросу
    ДКО ЭлектронщикDiodesпо запросу
    Кремнийпо запросу
    МосЧипDiodesпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс