Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet DMN2990UDJ - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 20 В, SOT963 — Даташит

Diodes DMN2990UDJ

Наименование модели: DMN2990UDJ

24 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,3А; 0,35Вт; SOT963
AiPCBA
Весь мир
DMN2990UDJ-7
Diodes
7.10 ₽
ChipWorker
Весь мир
DMN2990UDJ-7
Diodes
7.25 ₽
Utmel
Весь мир
DMN2990UDJ-7
Diodes
от 9.13 ₽
ТаймЧипс
Россия
DMN2990UDJ-7
Diodes
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт ESD, 20 В, SOT963

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMN2990UDJ
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS RDS(ON) max 0.99 @ VGS = 4.5V ID max TA = 25°C 450mA 400mA 330mA 300mA
Features and Benefits

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 450 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.6 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 350 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet DMN2990UDJ - Diodes MOSFET, NN CH, W ESD, 20 V, SOT963

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России