Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet DMN3033LSD - Diodes Даташит Полевой транзистор, NN CH, Вт DIOD, 30 В, 6.9 А, SO8

Diodes DMN3033LSD

Наименование модели: DMN3033LSD

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NN CH, Вт DIOD, 30 В, 6.9 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMN3033LSD
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · Dual N-Channel MOSFET Low On-Resistance · 22m @ VGS = 10V · 33m @ VGS = 4.5V Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) "Green" Device (Note 4) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.022 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 2 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Continuous Drain Current Id, N Channel: 6.9 А
  • Drain Source Voltage Vds, N Channel: 30 В
  • Module Configuration: Dual
  • On Resistance Rds(on), N Channel: 0.022 Ом

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet DMN3033LSD - Diodes MOSFET, NN CH, W DIOD, 30 V, 6.9 A, SO8

    MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    Цены на DMN3033LSD
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанDiodesDMN3033LSD23,40 руб.
    КремнийDMN3033LSD-13по запросу
    Океан ЭлектроникиDiodesDMN3033LSD-13по запросу
    ЭлектроПластDiodesDMN3033LSDпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс