Datasheet ZXMC4559DN8TC - Diodes Даташит Полевой транзистор, NP CH, 60 В, 4.7A/3.9A, SO8 — Даташит
Наименование модели: ZXMC4559DN8TC
Купить ZXMC4559DN8TC на РадиоЛоцман.Цены — от 91 до 3 343 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков DIODES INC. - ZXMC4559DN8TC - MOSFET, NP CH, 60V, 4.7A/3.9A, SO8 | |||
ZXMC4559DN8TC Diodes | 91 ₽ | ||
ZXMC4559DN8TC Diodes | 92 ₽ | ||
ZXMC4559DN8TC | по запросу | ||
ZXMC4559DN8TC Diodes | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, NP CH, 60 В, 4.7A/3.9A, SO8
Краткое содержание документа:
ZXMC4559DN8
COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY N-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= 4.7A P-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.105 ; ID= -3.9A DESCRIPTION
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.
This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
FEATURES
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.055 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть