Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet ZXMC4559DN8TC - Diodes Даташит Полевой транзистор, NP CH, 60 В, 4.7A/3.9A, SO8

Diodes ZXMC4559DN8TC

Наименование модели: ZXMC4559DN8TC

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 60 В, 4.7A/3.9A, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMC4559DN8
COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY N-Channel V(BR)DSS = 60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= 4.7A P-Channel V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.105 ; ID= -3.9A DESCRIPTION
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
FEATURES

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.055 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZXMC4559DN8TC - Diodes MOSFET, NP CH, 60 V, 4.7A/3.9A, SO8

    ZXMC4559DN8TC
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанDiodes70,80 руб.
    КремнийZetexпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс