Datasheet ZXMC4A16DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, NP CH, 40 В, 5.2A/4.7A, SO8 — Даташит

Diodes ZXMC4A16DN8TA

Наименование модели: ZXMC4A16DN8TA

Купить ZXMC4A16DN8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 64 до 6 705 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8Pin SOIC T/R
Akcel Весь мир	ZXMC4A16DN8TA Diodes	от 64 ₽
Utmel Весь мир	ZXMC4A16DN8TA Diodes	от 65 ₽
ЧипСити Россия	ZXMC4A16DN8TA Diodes	82 ₽
Acme Chip Весь мир	ZXMC4A16DN8TA Diodes	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 40 В, 5.2A/4.7A, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMC4A16DN8
COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY N-Channel = V(BR)DSS= 40V : RDS(on)= 0.05 ; ID= 5.2A P-Channel = V(BR)DSS= -40V : RDS(on)= 0.06 ; ID= -4.7A DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
SO8

Спецификации:

Module Configuration: Dual
Полярность транзистора: N and P Channel
Continuous Drain Current Id: 5.2 А
Drain Source Voltage Vds: 40 В
On Resistance Rds(on): 0.05 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: SOIC
Количество выводов: 8
SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть