Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet ZXMC4A16DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, NP CH, 40 В, 5.2A/4.7A, SO8

Diodes ZXMC4A16DN8TA

Наименование модели: ZXMC4A16DN8TA

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 40 В, 5.2A/4.7A, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMC4A16DN8
COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY N-Channel = V(BR)DSS= 40V : RDS(on)= 0.05 ; ID= 5.2A P-Channel = V(BR)DSS= -40V : RDS(on)= 0.06 ; ID= -4.7A DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
SO8

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.05 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZXMC4A16DN8TA - Diodes MOSFET, NP CH, 40 V, 5.2A/4.7A, SO8

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанDiodes56,20 руб.
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс