Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet ZXMHC3A01T8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8

Diodes ZXMHC3A01T8TA

Наименование модели: ZXMHC3A01T8TA

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMHC3A01T8
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
SUMMARY N-Channel = V(BR)DSS= 30V : RDS(on)= 0.12 ; ID= 3.1A P-Channel = V(BR)DSS= -30V : RDS(on)= 0.21 ; ID= -2.3A
DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

Спецификации:

  • Module Configuration: Half Bridge
  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.12 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.3 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZXMHC3A01T8TA - Diodes MOSFET, COMP, H/BRIDE, 30 V, SO8

    MOSFET H-BRIDGE DUAL SOT223-8
    Цены на ZXMHC3A01T8TA
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанDiodes62,80 руб.
    КонтестZetexпо запросу
    Кремнийпо запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургDiodesпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс