Datasheet ZXMHC3A01T8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8 — Даташит
Наименование модели: ZXMHC3A01T8TA
Купить ZXMHC3A01T8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 6 995 ₽ 26 предложений от 12 поставщиков Транзистор: MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8 | |||
ZXMHC3A01T8TA Diodes | 42 ₽ | ||
ZXMHC3A01T8TA Diodes | от 131 ₽ | ||
ZXMHC3A01T8TA Diodes | от 133 ₽ | ||
ZXMHC3A01T8TA Diodes | 135 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8
Краткое содержание документа:
ZXMHC3A01T8
COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE
SUMMARY N-Channel = V(BR)DSS= 30V : RDS(on)= 0.12 ; ID= 3.1A P-Channel = V(BR)DSS= -30V : RDS(on)= 0.21 ; ID= -2.3A
DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.
This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
Спецификации:
- Module Configuration: Half Bridge
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.12 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Рассеиваемая мощность: 1.3 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть