Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet ZXMHC3F381N8TC - Diodes Даташит Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8

Diodes ZXMHC3F381N8TC

Наименование модели: ZXMHC3F381N8TC

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
A Product Line of Diodes Incorporated
ZXMHC3F381N8
30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
Summary
Device V(BR)DSS QG RDS(on) 33m @ VGS= 10V N-CH 30V 9.0nC 60m @ VGS= 4.5V 55m @ VGS= -10V P-CH -30V 12.7nC 80m @ VGS= -4.5V -3.3A 3.9A -4.1A ID TA= 25°C 5.0A

Спецификации:

  • Module Configuration: Half Bridge
  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.98 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.033 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 870 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZXMHC3F381N8TC - Diodes MOSFET, COMP, H/BRIDE, 30 V, SO8

    MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC
    Цены на ZXMHC3F381N8TC
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанDiodes37,60 руб.
    ДКО ЭлектронщикDiodesпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Океан ЭлектроникиDiodesпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс