Datasheet ZXMHC3F381N8TC - Diodes Даташит Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8 — Даташит

Купить ZXMHC3F381N8TC на РадиоЛоцман.Цены — от 54 до 3 431 ₽ 26 предложений от 12 поставщиков Двойной МОП-транзистор, мостовая схема, N и P Дополнение, 30 В, 3.98 А, 0.033 Ом, SOIC
Akcel Весь мир	ZXMHC3F381N8TC Diodes	от 54 ₽	Купить
Utmel Весь мир	ZXMHC3F381N8TC Diodes	от 56 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	ZXMHC3F381N8TC Diodes	118 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	ZXMHC3F381N8TC Zetex	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, COMP, H/BRIDE, 30 В, SO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
A Product Line of Diodes Incorporated
ZXMHC3F381N8
30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
Summary
Device V(BR)DSS QG RDS(on) 33m @ VGS= 10V N-CH 30V 9.0nC 60m @ VGS= 4.5V 55m @ VGS= -10V P-CH -30V 12.7nC 80m @ VGS= -4.5V -3.3A 3.9A -4.1A ID TA= 25°C 5.0A

Спецификации:

• Module Configuration: Half Bridge
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.98 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.033 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 870 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть