Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet ZXMP6A18DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, PP CH, 60 В, 4.8 А, SO8 — Даташит

Diodes ZXMP6A18DN8TA

Наименование модели: ZXMP6A18DN8TA

30 предложений от 11 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 3.7 А, 0.055 Ом, SOIC, Surface Mount
Akcel
Весь мир
ZXMP6A18DN8TA
Diodes
от 32 ₽
AiPCBA
Весь мир
ZXMP6A18DN8TA
Diodes
46 ₽
ЧипСити
Россия
ZXMP6A18DN8TA
Diodes
109 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
ZXMP6A18DN8TA
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, PP CH, 60 В, 4.8 А, SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMP6A18DN8
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= -4.8A DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.

This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
FEATURES

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -3.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: -60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.055 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZXMP6A18DN8TA - Diodes MOSFET, PP CH, 60 V, 4.8 A, SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России