Datasheet ZXMP6A18DN8TA - Diodes Даташит Полевой транзистор, PP CH, 60 В, 4.8 А, SO8 — Даташит
Наименование модели: ZXMP6A18DN8TA
Купить ZXMP6A18DN8TA на РадиоЛоцман.Цены — от 32 до 5 468 ₽ 30 предложений от 11 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 60 В, 3.7 А, 0.055 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
ZXMP6A18DN8TA Diodes | от 32 ₽ | ||
ZXMP6A18DN8TA Diodes | 46 ₽ | ||
ZXMP6A18DN8TA Diodes | 109 ₽ | ||
ZXMP6A18DN8TA | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, PP CH, 60 В, 4.8 А, SO8
Краткое содержание документа:
ZXMP6A18DN8
DUAL P-CHANNEL 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS = -60V; RDS(ON) = 0.055 ; ID= -4.8A DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed.
This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.
FEATURES
Спецификации:
- Module Configuration: Dual
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3.7 А
- Drain Source Voltage Vds: -60 В
- On Resistance Rds(on): 0.055 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 1.25 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
RoHS: есть