Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMGD400UN - NXP Даташит Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363

NXP PMGD400UN

Наименование модели: PMGD400UN

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, NN CH, 30 В, 0.71 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMGD400UN
Dual N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
MBD128
Rev. 01 -- 3 March 2004
Product data

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual N Channel
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 710 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.4 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 410 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

На английском языке: Datasheet PMGD400UN - NXP MOSFET, NN CH, 30 V, 0.71 A, SOT363

    MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP
    Цены на PMGD400UN
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    КремнийPMGD400UN,115по запросу
    ТаймЧипсNXPPMGD400UN,115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс