HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BUK7Y12-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 61.8 А, LFPAK — Даташит

NXP BUK7Y12-55B

Наименование модели: BUK7Y12-55B

27 предложений от 14 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 61.8 А, 0.0082 Ом, LFPAK56, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK7Y12-55B.115
Nexperia
34 ₽
Akcel
Весь мир
BUK7Y12-55B
NXP
от 64 ₽
ЭИК
Россия
BUK7Y12-55B,115
Nexperia
от 118 ₽
BUK7Y12-55B,115
Nexperia
от 167 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 61.8 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7Y12-55B
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

03 -- 7 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 61.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0082 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 105 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: LFPAK
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK7Y1255B, BUK7Y12 55B

На английском языке: Datasheet BUK7Y12-55B - NXP MOSFET, N CH, 55 V, 61.8 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России