Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet DMMT5551S - Diodes Даташит TRANS, NPNNPN MAT, 180 В, 0.2 А, SOT26

Diodes DMMT5551S

Наименование модели: DMMT5551S

Производитель: Diodes

Описание: TRANS, NPNNPN MAT, 180 В, 0.2 А, SOT26

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMMT5551/DMMT5551S
MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Features
· · · · · · · Epitaxial Planar Die Construction Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Ideal for Low Power Amplification and Switching Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT) Lead Free/RoHS Compliant (Note 4) "Green" Device (Note 5 and 6)
A

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • DC Collector Current: 200 мА
  • DC Current Gain: 80
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-26
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet DMMT5551S - Diodes TRANS, NPNNPN MAT, 180 V, 0.2 A, SOT26

    Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
    Цены на DMMT5551S
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанDiodesDMMT5551S8,58 руб.
    КремнийDMMT5551S-7-Fпо запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургDiodesDMMT5551S-7по запросу
    МосЧипDiodesDMMT5551Sпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс