Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMDT290UCE - NXP Даташит Полевой транзистор, N/P CH, 20/20 В, 800/550 мА, SOT666

NXP PMDT290UCE

Наименование модели: PMDT290UCE

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N/P CH, 20/20 В, 800/550 мА, SOT666

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T6
PMDT290UCE
20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 6 October 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N and P Complement
  • Continuous Drain Current Id: 800 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.29 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 750 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 330 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-666
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMDT290UCE - NXP MOSFET, N/P CH, 20/20 V, 800/550 mA, SOT666

    MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666
    Цены на PMDT290UCE
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMDT290UCE,1158,57 руб.
    Океан ЭлектроникиNXPPMDT290UCE,115по запросу
    КремнийNXPPMDT290UCE115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс