Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMDT670UPE - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 550 мА, SOT666

NXP PMDT670UPE

Наименование модели: PMDT670UPE

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 550 мА, SOT666

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T6
PMDT670UPE
20 V, 550 mA dual P-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 13 September 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: Dual P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -550 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.67 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 500 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-666
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMDT670UPE - NXP MOSFET, P CH, DUAL, 20 V, 550 mA, SOT666

    MOSFET PCH DUAL 20V 550MA SOT666
    Цены на PMDT670UPE
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMDT670UPE,11510,20 руб.
    LifeElectronicsNXPPMDT670UPE,115по запросу
    КремнийNXPPMDT670UPE115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс