Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMF170XP - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 1 А, SOT323

NXP PMF170XP

Наименование модели: PMF170XP

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 1 А, SOT323

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T3
PMF170XP
20 V, 1 A P-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 2 September 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -1 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.175 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 290 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-323
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMF170XP - NXP MOSFET, P CH, DUAL, 20 V, 1 A, SOT323

    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMF170XP3,97 руб.
    ДКО ЭлектронщикNXPPMF170XPпо запросу
    КремнийPMF170XP,115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс