Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMG85XP - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 2 А, SOT363

NXP PMG85XP

Наименование модели: PMG85XP

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 2 А, SOT363

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TS SO P6
PMG85XP
20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 28 June 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -2 А
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.09 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 375 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMG85XP - NXP MOSFET, P CH, DUAL, 20 V, 2 A, SOT363

    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMG85XP4,44 руб.
    КремнийNXPPMG85XP115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс