Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMN20EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.7 А, SOT457

NXP PMN20EN

Наименование модели: PMN20EN

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.7 А, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T4 57
PMN20EN
30 V, 6.7 A N-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 30 May 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.016 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 545 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMN20EN - NXP MOSFET, N CH, DUAL, 30 V, 6.7 A, SOT457

    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMN20EN7,94 руб.
    КремнийNXPPMN20EN115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс