Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet PMN25EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.2 А, SOT457 — Даташит

NXP PMN25EN

Наименование модели: PMN25EN

19 предложений от 13 поставщиков
MOSFET 30 V, 6.2 A N-CH TRENCH MOSFET
ChipWorker
Весь мир
PMN25EN,115
NXP
15 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMN25EN,115
NXP
15 ₽
Элитан
Россия
PMN25EN
NXP
36 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PMN25EN.115
843 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 6.2 А, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T4 57
PMN25EN
30 V, 6.2 A N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 29 August 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.02 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 540 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMN25EN - NXP MOSFET, N CH, DUAL, 30 V, 6.2 A, SOT457

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России