Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMN35EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457

NXP PMN35EN

Наименование модели: PMN35EN

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T4 57
PMN35EN
30 V, 5.1 A N-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 20 July 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.025 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 500 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMN35EN - NXP MOSFET, N CH, DUAL, 30 V, 5.1 A, SOT457

    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMN35EN9,39 руб.
    КремнийNXPPMN35EN115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс