Datasheet PMN35EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457 — Даташит
Наименование модели: PMN35EN
Купить PMN35EN на РадиоЛоцман.Цены — от 8.47 до 888 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков 5100mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-74, TSOP-6 | |||
| PMN35EN125 NXP | 8.47 ₽ | ||
| PMN35EN125 NXP | 8.47 ₽ | ||
| PMN35EN NXP | от 58 ₽ | ||
| PMN35EN115 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, сдвоенный, 30 В, 5.1 А, SOT457
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
SO T4 57
PMN35EN
30 V, 5.1 A N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 20 July 2011 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.025 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 500 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
RoHS: есть
