Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMR670UPE - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 480 мА, SOT416

NXP PMR670UPE

Наименование модели: PMR670UPE

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P CH, сдвоенный, 20 В, 480 мА, SOT416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SO T4 16
PMR670UPE
20 V, 480 mA P-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 13 September 2011 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -480 мА
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.67 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMR670UPE - NXP MOSFET, P CH, DUAL, 20 V, 480 mA, SOT416

    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMR670UPE5,76 руб.
    КремнийNXPPMR670UPE115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс