Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PHT4NQ10T - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 3.5 А, SOT223

NXP PHT4NQ10T

Наименование модели: PHT4NQ10T

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 3.5 А, SOT223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHT4NQ10T
TrenchMOSTM standard level FET
M3D087
Rev. 02 -- 2 May 2002
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.2 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 6.9 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PHT4NQ10T - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 3.5 A, SOT223

    МОП-транзистор TAPE13 PWR-MOS
    Цены на PHT4NQ10T
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPHT4NQ10T21,00 руб.
    КремнийPHT4NQ10T,135по запросу
    МосЧипNXPPHT4NQ10Tпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс