Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet NTLJD3119CTAG - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, NP, 20 В, 6 вывод DFN

ON Semiconductor NTLJD3119CTAG

Наименование модели: NTLJD3119CTAG

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, NP, 20 В, 6 вывод DFN

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTLJD3119C Power MOSFET
Features
20 V/-20 V, 4.6 A/-4.1 A, mCoolt Complementary, 2x2 mm, WDFN Package
· Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET · WDFN Package with Exposed Drain Pad for Excellent Thermal · · · · ·
Conduction Footprint Same as SC-88 Package Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance 1.8 V Gate Threshold Voltage Low Profile (< 0.8 mm) for Easy Fit in Thin Environments This is a Pb-Free Device

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 65 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 2.3 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: DFN
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 3.8 А
  • Тип корпуса: DFN
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max: 700 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet NTLJD3119CTAG - ON Semiconductor MOSFET, NP, 20 V, 6 LEAD DFN

    NTLJD3119CTAG
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor19,60 руб.
    КремнийON Semiconductorпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс