Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SIHB30N60E-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK

Vishay SIHB30N60E-GE3

Наименование модели: SIHB30N60E-GE3

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiHB30N60E
www.vishay.com
Vishay Siliconix
E Series Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 29 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.104 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SIHB30N60E-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 600 V, 29 A, D2PAK

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанVishay288 руб.
    ДКО ЭлектронщикVishayпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс