Datasheet SIHB30N60E-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK — Даташит

Купить SIHB30N60E-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 257 до 809 ₽ 15 предложений от 7 поставщиков N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
T-electron Россия и страны СНГ	SiHB30N60E-GE3 Vishay	257 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SIHB30N60E-GE3 Vishay	364 ₽	Купить
ЭИК Россия	SIHB30N60E-GE3 Vishay	от 653 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SIHB30N60E-GE3 Vishay	от 809 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiHB30N60E
www.vishay.com
Vishay Siliconix
E Series Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 29 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 0.104 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Рассеиваемая мощность: 250 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-263
• Количество выводов: 3
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

Варианты написания:

SIHB30N60EGE3, SIHB30N60E GE3