Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet 2SK3666-3-TB-E - Sanyo Даташит JFET, N CH, 30 В, 0.01 А, SOT23

Sanyo 2SK3666-3-TB-E

Наименование модели: 2SK3666-3-TB-E

Производитель: Sanyo

Описание: JFET, N CH, 30 В, 0.01 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 30 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 600 мкА ... 6 мА
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 2.2 В
  • Рассеиваемая мощность: 200 мВт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Current Idss Max: 6 мА
  • Current Idss Min: 600 мкА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • Тип корпуса: CP
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet 2SK3666-3-TB-E - Sanyo JFET, N CH, 30 V, 0.01 A, SOT23

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанON Semiconductor5,87 руб.
    КремнийON Semiconductorпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс