Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor Даташит Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23

ON Semiconductor MMBFJ310LT1G

Наименование модели: MMBFJ310LT1G

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Транзистор, JFET, N, 25 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 25 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА ... 60 мА
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 225 мВт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Capacitance Ciss Max: 5 пФ
  • Current Idss Max: 60 мА
  • Current Idss Min: 24 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 225 мВт
  • SMD Marking: 6 x
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Voltage Vgs Off Min: -2 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor TRANSISTOR, JFET, N, 25 V, SOT-23

    MMBFJ310LT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 11,40 до 39,00 руб.
    Исполнение: SOT-23-3. N-Channel JFET Transistor Транзистор биполярный стандартный MMBFJ310LT1G. Описание в формате PDF
    Цены на MMBFJ310LT1G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанON SemiconductorMMBFJ310LT1G11,40 руб.
    ICdaromON SemiconductorMMBFJ310LT1Gот 13,59 руб.
    КонтестON SemiconductorMMBFJ310LT1G16,85 руб.
    ДессиON SemiconductorJ-FET транзистор MMBFJ310LT1G33,93 руб.
    КремнийON SemiconductorMMBFJ310LT1Gпо запросу
    Все 15 предложений от 9 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс