Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PMBFJ110,215 - NXP Даташит JET, N CH, 25 В, SOT-23 — Даташит

NXP PMBFJ110,215

Наименование модели: PMBFJ110,215

13 предложений от 10 поставщиков
PMBFJ110 Series N-Channel 25 V Surface Mount Junction FET - SOT-23
PMBFJ110,215
NXP
6.68 ₽
Utmel
Весь мир
PMBFJ110,215
NXP
от 9.79 ₽
ЧипСити
Россия
PMBFJ110,215
NXP
30 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMBFJ110,215
NXP
204 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: JET, N CH, 25 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMBFJ108; PMBFJ109; PMBFJ110
N-channel junction FETs
Rev.

4 -- 20 September 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: -25 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 10 мА
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -500 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Idss Min: 10 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel

RoHS: есть

Варианты написания:

PMBFJ110215, PMBFJ110 215

На английском языке: Datasheet PMBFJ110,215 - NXP JET, N CH, 25 V, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России