Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
NXP PMBFJ110,215

Наименование модели: PMBFJ110,215

Производитель: NXP

Описание: JET, N CH, 25 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMBFJ108; PMBFJ109; PMBFJ110
N-channel junction FETs
Rev. 4 -- 20 September 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: -25 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 10 мА
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -500 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Idss Min: 10 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMBFJ110,215 - NXP JET, N CH, 25 V, SOT-23

    JFET N-CH 25V 250MW SOT23
    Цены на PMBFJ110,215
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMBFJ110,21512,00 руб.
    КремнийNXPPMBFJ110215по запросу
    ДКО ЭлектронщикNXPPMBFJ110.215по запросу
    ЭлектроПластNXPPMBFJ110,215по запросу
    ИнтерияPMBFJ110,215по запросу
    Все 7 предложений от 7 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс