Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMBFJ112 - NXP Даташит Транзистор, JFET, N, ВЧ, SOT-23

NXP PMBFJ112

Наименование модели: PMBFJ112

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, JFET, N, ВЧ, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMBFJ111; PMBFJ112; PMBFJ113
N-channel junction FETs
Rev. 4 -- 20 September 2011 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 40 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 5 мА
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 3 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Idss Min: 5 мА
  • Current Ig: 50 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • On State Resistance Max: 50 Ом
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Pin Configuration: D(1), S(2), G(3)
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 300 мВт
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Voltage Vgs Off Min: -10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMBFJ112 - NXP TRANSISTOR, JFET, N, RF, SOT-23

    РЧ транзисторы с управляющим p-n переходом TAPE7 FET-RFSS
    Цены на PMBFJ112
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMBFJ11210,40 руб.
    КремнийPMBFJ112 T/Rпо запросу
    ДКО ЭлектронщикNXPPMBFJ112.215по запросу
    ТаймЧипсNXPPMBFJ112по запросу
    LifeElectronicsNXPPMBFJ112 T/Rпо запросу
    Все 6 предложений от 6 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс