Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
NXP PMBFJ174,215

Наименование модели: PMBFJ174,215

Производитель: NXP

Описание: JET, P CH, 30 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors
Product specification April 1995
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 30 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 20 мА ... 135 мА
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Idss Max: 135 мА
  • Current Idss Min: 20 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: P Channel

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMBFJ174,215 - NXP JET, P CH, 30 V, SOT-23

    PMBFJ174,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 16,39 до 59,30 руб.
    Тип корпуса: SOT23 Производитель: NXP Semiconductors MOSFET транзистор
    Цены на PMBFJ174,215
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ICdaromNXPPMBFJ174.215от 16,39 руб.
    ТерраэлектроникаNXPPMBFJ174.215от 17,00 руб.
    КимNXPPMBFJ174.21543,00 руб.
    ЭлитанNXPPMBFJ174.21559,30 руб.
    КремнийNXPPMBFJ174215по запросу
    Все 16 предложений от 10 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс