Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMBFJ175,215 - NXP Даташит JFET, P CH, 30 В, 0.03 А, SOT23

NXP PMBFJ175,215

Наименование модели: PMBFJ175,215

Производитель: NXP

Описание: JFET, P CH, 30 В, 0.03 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors
Product specification April 1995
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 30 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 7 мА ... 70 мА
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Continuous Drain Current Id: 70 мА
  • On Resistance Rds(on): 125 Ом
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Voltage Vds Typ: 30 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMBFJ175,215 - NXP JFET, P CH, 30 V, 0.03 A, SOT23

    PMBFJ175,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 14,80 до 43,00 руб.
    P-channel silicon field-effect transistors
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMBFJ175,21514,80 руб.
    ТерраэлектроникаNXPPMBFJ175.215от 15,00 руб.
    КимNXPPMBFJ175.21543,00 руб.
    ДКО ЭлектронщикNXPPMBFJ175.215по запросу
    ТаймЧипсNXPPMBFJ175215по запросу
    Все 11 предложений от 9 поставщиков »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс