Datasheet PMBFJ175,215 - NXP Даташит JFET, P CH, 30 В, 0.03 А, SOT23 — Даташит

NXP PMBFJ175,215

Наименование модели: PMBFJ175,215

Купить PMBFJ175,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 6.68 до 60 ₽ 13 предложений от 10 поставщиков JFET Transistor, JFET, 30V, 7mA, 70mA, 6V, SOT-23, JFET
Стандарт СИЗ Россия	PMBFJ175,215 NXP	6.68 ₽
Akcel Весь мир	PMBFJ175,215 NXP	от 9.37 ₽
ТаймЧипс Россия	PMBFJ175215 NXP	по запросу
LifeElectronics Россия	PMBFJ175@215 NXP	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: JFET, P CH, 30 В, 0.03 А, SOT23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors
Product specification April 1995
NXP Semiconductors

Спецификации:

Тип транзистора: JFET
Breakdown Voltage Vbr: 30 В
Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 7 мА ...
70 мА
Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6 В
Рассеиваемая мощность: 300 мВт
Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
Корпус транзистора: SOT-23
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Continuous Drain Current Id: 70 мА
On Resistance Rds(on): 125 Ом
Тип корпуса: SOT-23
Способ монтажа: SMD
Полярность транзистора: P Channel
Voltage Vds Typ: 30 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMBFJ175215, PMBFJ175 215