Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
NXP PMBFJ176,215

Наименование модели: PMBFJ176,215

Производитель: NXP

Описание: JET, P CH, 30 В, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBFJ174 to 177 P-channel silicon field-effect transistors
Product specification April 1995
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 30 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 2 мА ... 35 мА
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Idss Max: 35 мА
  • Current Idss Min: 2 мА
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: P Channel

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMBFJ176,215 - NXP JET, P CH, 30 V, SOT-23

    P-channel silicon field-effect transistors
    Цены на PMBFJ176,215
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    КремнийPMBFJ176,215по запросу
    ДКО ЭлектронщикNXPPMBFJ176.215по запросу
    ИнтерияPMBFJ176,215по запросу
    МосЧипNXPPMBFJ176,215по запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургNXPPMBFJ176215по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс