Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMBFJ620,115 - NXP Даташит JET, N CH, сдвоенный, 25 В, SOT363

NXP PMBFJ620,115

Наименование модели: PMBFJ620,115

Производитель: NXP

Описание: JET, N CH, сдвоенный, 25 В, SOT363

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: -25 В
  • Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 24 мА ... 60 мА
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 190 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Idss Max: 60 мА
  • Current Idss Min: 24 мА
  • Тип корпуса: SOT-363
  • Способ монтажа: SMD
  • Полярность транзистора: N Channel

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMBFJ620,115 - NXP JET, N CH, DUAL, 25 V, SOT363

    JFET 2N-CH 25V 190MW 6TSSOP
    Цены на PMBFJ620,115
    ПоставщикПроизводительЦена
    Кремнийпо запросу
    Океан ЭлектроникиNXPпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс