Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SJDP120R085 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 27 А, TO247

SemiSouth SJDP120R085

Наименование модели: SJDP120R085

Производитель: SemiSouth

Описание: JFET, SIC, N-ON, 1200 В, 27 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
PRELIMINARY
SJDP120R085
Product Summary
BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.085 290 V µJ

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 1200 В
  • Рассеиваемая мощность: 114 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SJDP120R085 - SemiSouth JFET, SIC, N-ON, 1200 V, 27 A, TO247

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс