Datasheet SJEP120R063 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 30 А, TO247 — Даташит
Наименование модели: SJEP120R063
Подробное описание
Производитель: SemiSouth
Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1200 В, 30 А, TO247
Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
PRELIMINARY
SJEP120R063
Product Summary
BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1200 0.063 440 V µJ
Спецификации:
- Тип транзистора: JFET
- Breakdown Voltage Vbr: 1200 В
- Рассеиваемая мощность: 250 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
RoHS: есть