Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SJEP170R550 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-OFF, 1700 В, 4 А, TO247

SemiSouth SJEP170R550

Наименование модели: SJEP170R550

Производитель: SemiSouth

Описание: JFET, SIC, N-OFF, 1700 В, 4 А, TO247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
PRELIMINARY
SJEP170R550
Product Summary
BVDS RDS(ON)max ETS,typ 1700 0.550 74 V µJ

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: 1700 В
  • Рассеиваемая мощность: 58 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet SJEP170R550 - SemiSouth JFET, SIC, N-OFF, 1700 V, 4 A, TO247

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс