Datasheet SST175-E3 - Vishay Даташит Транзистор, JFET, N, 30 В, 0.07 А — Даташит

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Транзистор, JFET, N, 30 В, 0.07 А

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
J/SST174/175/176/177 Series
Vishay Siliconix
P-Channel JFETs
J174 J175 J176 J177 SST174 SST175 SST176 SST177
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: 30 В
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: -7 мА ...

  -70 мА

• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: 6 В
• Рассеиваемая мощность: 350 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: TO-236
• Количество выводов: 3
• Current Idss Max: 70 мА
• Current Idss Min: 7 мА
• Тип корпуса: TO-236
• Способ монтажа: SMD
• Полярность транзистора: P Channel

RoHS: есть

Варианты написания:

SST175E3, SST175 E3