Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet NTE133 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL JFET, -25 В, TO-106

NTE Electronics NTE133

Наименование модели: NTE133

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL JFET, -25 В, TO-106

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE133 N­Channel JFET Silicon Transistor General Purpose AF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Drain­Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain­Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­25V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mW/°C Operati

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: -25 В
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6.5 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Количество выводов: 3

На английском языке: Datasheet NTE133 - NTE Electronics N CHANNEL JFET, -25 V, TO-106

    N.Channel JFET Silicon Transistor General Purpose AF Amplifier
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNTE Electronics310 руб.
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургNTE Electronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс