Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
NTE Electronics NTE312

Наименование модели: NTE312

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL JFET, -30 В, TO-92

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE312
N­Channel Silicon Junction Field Effect Transistor
Description: The NTE312 is a field effect transistor designed for VHF amplifier and mixer applications. The NTE312 comes in a TO­92 package. Features: D High Power Gain: 10dB Min at 400MHz D High Transconductance: 4000 µmho Min at 400MHz D Low Crss: 1pF Max D High (Yfs) / Ciss Ratio (High­Frequency Figure­of­Merit) D Drain and Gate Leads Separated for High Maximum Stable Gain D Cross­Modulation Minimized by Square­Law Transfer Characteristic D For Use in VHF Amplifiers in FM, TV, and Mobile Communications Equipment Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Drain­Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­30V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

  • Тип транзистора: JFET
  • Breakdown Voltage Vbr: -30 В
  • Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6 В
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • Количество выводов: 3
  • Ток номинальный: 15 мА
  • Gate-Source Breakdown Voltage: -50 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet NTE312 - NTE Electronics N CHANNEL JFET, -30 V, TO-92

    N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNTE ElectronicsNTE312148 руб.
    КремнийNTE312по запросу
    LifeElectronicsSemikronSK3112NTE312по запросу
    TradeElectronicsNTE ElectronicsNTE312BAпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс