Datasheet NTE312 - NTE Electronics Даташит N CHANNEL JFET, -30 В, TO-92 — Даташит

Купить NTE312 на РадиоЛоцман.Цены — от 139 до 17 597 ₽ 18 предложений от 9 поставщиков Транзистор: N-JFET; полевой; 30В; 15мА; 0,36Вт; TO92; Igt: 50мА
Utmel Весь мир	NTE312 NTE Electronics	от 139 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE312 NTE Electronics	204 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	NTE-312	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE312	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: N CHANNEL JFET, -30 В, TO-92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE312
N­Channel Silicon Junction Field Effect Transistor
Description: The NTE312 is a field effect transistor designed for VHF amplifier and mixer applications.

The NTE312 comes in a TO­92 package. Features: D High Power Gain: 10dB Min at 400MHz D High Transconductance: 4000 µmho Min at 400MHz D Low Crss: 1pF Max D High (Yfs) / Ciss Ratio (High­Frequency Figure­of­Merit) D Drain and Gate Leads Separated for High Maximum Stable Gain D Cross­Modulation Minimized by Square­Law Transfer Characteristic D For Use in VHF Amplifiers in FM, TV, and Mobile Communications Equipment Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Drain­Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V Gate­Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­30V Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Тип транзистора: JFET
• Breakdown Voltage Vbr: -30 В
• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6 В
• Рассеиваемая мощность: 250 мВт
• Количество выводов: 3
• Ток номинальный: 15 мА
• Gate-Source Breakdown Voltage: -50 В

RoHS: есть