HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet FCB11N60TM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, TO-263 — Даташит

Fairchild FCB11N60TM

Наименование модели: FCB11N60TM

28 предложений от 14 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; D2PAK
Utmel
Весь мир
FCB11N60TM
ON Semiconductor
от 54 ₽
Akcel
Весь мир
FCB11N60TM
ON Semiconductor
от 55 ₽
ChipWorker
Весь мир
FCB11N60TM
ON Semiconductor
336 ₽
ЭИК
Россия
FCB11N60TM
Fairchild
от 364 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, TO-263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FCB11N60 600V N-Channel MOSFET
December 2008
FCB11N60
600V N-Channel MOSFET
Features

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 11 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.32 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FCB11N60TM - Fairchild MOSFET, N CH, 600 V, 11 A, TO-263

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России